TSAT1S02A
Der Joystick TSAT1S02A (Teilenummer) wurde mit Komfort und Präzision im Hinterkopf entwickelt. Sein ergonomischer Handgriff (Handgriff) bietet einen bequemen Halt für lange Gaming-Sitzungen. Der Joystick verfügt über ein Gewindegehäuse (Montageart) für eine einfache Installation und Kompatibilität mit verschiedenen Gaming-Konsolen. Mit einem quadratischen Begrenzer (Limiter) können Sie den Bewegungsbereich des Joysticks ganz nach Ihren Vorlieben einstellen. Der Ausgang (Ausgang) des Joysticks reicht von 0,5 Volt bis 4,5 Volt und gewährleistet eine präzise und reaktionsschnelle Steuerung. Der Joystick bietet auch eine LED-Steuerung (Led-Steuerung) für anpassbare Beleuchtungseffekte, mit denen Sie Ihr Spielerlebnis personalisieren können. Wählen Sie Ihre bevorzugte LED-Farbe (LED-Farbe), um Ihre Gaming-Setup passend zu gestalten und eine visuell beeindruckende Umgebung zu schaffen.
Wesentliche Merkmale
- Serie: TS
- Limiter: Quadrat
- Anschlussoptionen: 22 AWG 25 cm PTFE 2-1
- Griff: Griffe 1, 2, 3
- Ausgabeoptionen: 0,5 V bis 4,5 V
- Montageoptionen: Gewindegehäuse, Metall
- Stromversorgungsoptionen: Single
Spezifikationen
Unterscheidungsmerkmale:
- Prozessversiegelt
- Einteiliges Gehäuse
- Front- und Rückseitenversiegelung
- Große Auswahl an Kontaktmaterialien
- Gleiches PCB-Layout wie bei TL-, TP- und TG-Subminiaturschaltern
Allgemeine Spezifikation:
- Ein oder zwei Achsen
- USB-Ausgang erhältlich
- Kontaktfreie Hall-Effekt-Technologie
- Tauchbar bis 1m (3,28ft) nach IP67
- Redundante Ausgänge erhältlich
- Rück- oder Drop-In-Montage erhältlich
Umgebungsbedingungen:
- Betriebstemperatur: -40ºC bis +85ºC (-40ºF bis +185ºF)
- Lagertemperatur: -40ºC bis +85ºC (-40ºF bis +185ºF)
- Abdichtung: IP67
- EMV-Schutz: EN61000-4-3
- EMV-Schutz(HF): EN61000-6-3:2001
- ESD-Schutz: EN61000-4-2
Elektronische Spezifikationen:
- Sensor: Hall Effekt
- Auflösung: 1,22mV
- Versorgungsspannungsbereich: 5V ± 0,01V
- Max. Verpolungsschutz: -10V
- Max. Überspannung: 20V
- Ausgangsimpedanz: 2Ω
- Mittelstellungstoleranz (ohne Last): ±200mV
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